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单项选择题
横波斜探头在斜楔材料和尺寸、晶片尺寸和频率一定的条件下，进入工件中的近场长度随（）的增大而缩短。
A.入射角
B.探头前沿
C.入射点
D.以上都不是 -
单项选择题
接触法单晶片的斜探头在被检材料中的近场长度与下述何种因素无关（）。
A.晶片尺寸
B.频率
C.斜楔中的声程
D.斜楔材料中的声速
E.被检材料声速
F.耦合剂的声阻抗 -
单项选择题
在超声场中，缺陷回波声压随着与声源距离的加大呈指数规律单调下降的范围称为（）。
A.近场区
B.远场区
C.超声场
