单项选择题
单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3，求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
A.1.34×109/cm3
B.6.7×108/cm3
C.2.2×109/cm3
D.1.1×109/cm3
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单项选择题
已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm，固有振动频率为1012Hz，晶格势能垒为0.5eV，求300K时的离子迁移率为（）。
A.1.24×10-10cm2/s·V
B.6.19×10-11cm2/s·V
C.9.14×10-10cm2/s·V
D.4.57×10-10cm2/s·V -
单项选择题
下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是（）。
A.A
B.B
C.C
D.D -
单项选择题
以四价原子、二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
