欢迎来到PP题库网
PP题库官网
登录
注册
首页
计算机java工程师信产部认证考试
计算机网络设备调试员
计算机计算机软件水平考试
计算机通信工程师
计算机计算机辅助设计绘图员
全部科目
>
大学试题
>
理学
>
物理学
>
材料物理性能
>
半导体材料
搜题找答案
问答题
简答题
简述在生长III-V族化合物时指出MBE、MOVPE和CBE法使用的III族源及各自的生长机理。
【参考答案】
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
问答题
为什么从70年代初就对GaN开展了研究工作但一直进展缓慢?
问答题
依据相图,LPE生长GaAs时说明如何从A点开始外延生长。
问答题
GaAs成为继Si之后重要半导体材料的重要特征有哪些?
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题