单项选择题
对于NMOS和PMOS管完全对称的CMOS反相器，当输出端从高电平翻转到低电平的过程中，论述正确的是（）。
A.翻转时，从电源到地端的回路总等效电阻最大
B.负载管从线性区直接过渡到截止区
C.翻转时，两个管子都处于饱和区
D.工作管从截止区直接过渡到线性区
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单项选择题
关于MOSFET模型论述错误的是（）。
A.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了VDSat
B.体电荷模型中，衬底掺杂浓度越高，其预测的IDS与平方律简单模型相比误差越低
C.体电荷模型中，无统一的VT
D.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了漏源电流IDS -
单项选择题
不会引起MOSFET衬底电流的效应是（）。
A.漏结雪崩击穿
B.漏源穿通
C.GIDL
D.沟道雪崩击穿 -
单项选择题
在理想MIS结构（n型半导体）开启电压VT的计算中，没有考虑强反型少子（即空穴）电荷的原因是（）。
A.反型空穴的浓度低于Nd
B.反型空穴与电子正好是电中性的
C.反型空穴总数太少
