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填空题
阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。
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填空题
为提高跨导g的截止角频率ω，应当（）μ，（）L，（）V。
填空题
MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。
填空题
由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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