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单项选择题
半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm，则GaAs的禁带宽度为（）
A.1.42J
B.1.42eV
C.1.42E-3J
D.1.42E-3eV -
单项选择题
已知一He-Ne激光器（波长为632.8nm）出射激光束的光子流速率N为9.55E16个/秒，则该束激光功率为（）
A.30mW
B.90mW
C.30W
D.90W -
多项选择题
直视型真空图像探测器由几部分组成（）
A.图像转换
B.增强
C.高真空管壳
D.阳极
