单项选择题
关于击穿，以下说法错误的是（）。
A.二极管整流电路利用的是二极管的反向击穿特性
B.齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
C.电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的
D.雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
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单项选择题
为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。
A.加强外电场
B.掺入特定杂质元素
C.提高环境温度
D.加强光照 -
单项选择题
用实验方法可以测量一阶RC电路的充电时间常数τ，测量将电容充电过程的电压（或电流），记录上升到电容达到稳态值的（）倍的时间即为电路的充电时间常数τ。
A.0.632
B.0.618
C.0.368
D.0.5 -
单项选择题
用示波器测量RC电路充放电的时间常数时，为什么示波器的探棒衰减放置×10？（）
A.提高探头带负载能力
B.提高测量精度
C.为了测量方便
