问答题
半导体中载流子浓度n0=1014cm-3，本征载流子浓度ni=1010cm-3，非平衡空穴浓度，非平衡空穴的寿命τn0=10-6s，计算电子-空穴的复合率，计算载流子的费米能级和准费米能级、能级和准费米能级。
问答题 砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
问答题 硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
问答题 在300K下硅中电子浓度n0=2×103cm-3，计算硅中空穴浓度p0。判断该半导体是n型还是p型半导体。
