问答题
在300K下硅中电子浓度n0=2×103cm-3，计算硅中空穴浓度p0。判断该半导体是n型还是p型半导体。
问答题 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同，材料1的禁带宽度为1.1eV，材料2的禁带宽度为3.0eV，计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值，哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件？
问答题 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点。
问答题 假设有一种半导体材料，晶格常数a=0.5555nm，如果以Si1-xGex固溶体为衬底，请Si1-xGex的最佳组分是多少？Si晶格常数0.5431nm；Ge晶格常数0.5658nm？
