问答题 两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T1管为N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管，gm＝2mS，T2管为双极型晶体管，β＝50，rbe＝1k，rce可忽略。 （1）求第二级电路的静态工作点ICQ2和VCEQ2； （2）若电路中所有电容的容抗在中频区域内可忽略，试求该电路的中频电压放大倍数AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro； （3）当加大输入信号时，该放大电路是先出现饱和失真还是先出现截止失真？其最大不失真输出电压Vomax为多少？

问答题 如图所示N沟道JFET构成的放大电路，JFET的VGSoff＝－2V，IDSS＝5mA，S1处于开路状态。 （1）说明C1、C2、C3和C4的作用； （2）说明R3和R5的作用； （3）计算电路的输入阻抗Ri、输出阻抗Ro和电压放大倍数AV； （4）现将N沟道JFET换成HFE＝100的BJT，且S1闭合，分析输入阻抗、输出阻抗和增益的变化； （5）比较共源JFET放大器和共射BJT放大器的优缺点。

问答题 电路如图所示，其中三极管β＝100，rbb′300，VBEQ＝0.7V。 （1）求静态工作点ICQ1、VCEQ1、ICQ2和VCEQ2的值； （2）求中频段电压放大倍数AV＝Vo／Vi； （3）求电路下限截止频率fL； （4）如果试图提高电路的下限截止频率，而手头没有多余的元器件，对电路中的元器件做怎样调整，可以实现这个目的。