多项选择题
在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。
A.使薄膜的介电常数变大 B.可能引入杂质 C.可能使薄膜层间短路 D.使薄膜介电常数变小 E.可能使薄膜厚度增加
多项选择题 在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。
单项选择题 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个()或采用无油泵。
单项选择题 离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的()和引出部分组成。