问答题
假设有一种半导体材料，晶格常数a=0.5555nm，如果以Si1-xGex固溶体为衬底，请Si1-xGex的最佳组分是多少？Si晶格常数0.5431nm；Ge晶格常数0.5658nm？
最佳组分即半导体材料与衬底晶格完全匹配。asiGe=xaGe+（1-x）asi=0.5555nmaG......
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问答题 从四元固溶体的带隙与晶格常数图，说明与GaAs晶格（0.5653nm）相匹配的固溶体的带隙可调整大致的范围是多少？
问答题 四元固溶体半导体与三元固溶体半导体相比的优势是什么？
问答题 简述在生长III-V族化合物时指出MBE、MOVPE和CBE法使用的III族源及各自的生长机理。
