单项选择题
组装过程中，H1级芯片和衬底之间的粘接要求（）
A.芯片周长50%可见焊料B.芯片周围75%可见焊料C.芯片周长40%可见焊料D.芯片周长45%可见焊料
单项选择题 一般MOS型集成电路的隔离是（）
单项选择题 可动电荷Na+离子在（）介质膜中容易移动。
单项选择题 芯片共晶焊接工艺所用的金-硅合金的熔点是（）
