问答题 晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度NB=1019cm-3，集电区的杂质浓度NC=5×1015cm-3，基区的宽度WB=0.3μm，集电区宽度WC=10μm，求晶体管的击穿电压。

问答题 硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅Tjm=200℃，锗Tjm=100℃）

问答题 已知npn非均匀基区晶体管的有关参数为xjc=5μm，xje=3μm，电子扩散系数Dn=8cm2/s，τn=1μs，本征基区方块电阻RsB=2500Ω，RsE=5Ω计算其电流放大系数α、β。