问答题
已知npn非均匀基区晶体管的有关参数为xjc=5μm，xje=3μm，电子扩散系数Dn=8cm2/s，τn=1μs，本征基区方块电阻RsB=2500Ω，RsE=5Ω计算其电流放大系数α、β。
问答题 硅npn晶体管的材料参数和结构如下： 计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数αT，VBE=0.55V，计算复合系数δ，并由此计算晶体管的共发射极电流放大系数β。
问答题 已知硅p+n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结Ci=8.45×10-36cm-1，锗pn结Ci=6.25×10-34cm-1）
问答题 在杂质浓度ND=2×1015cm-3的硅衬底上扩散硼形成pn结，硼扩散的便面浓度为NA=1018cm-3，结深5μm，求此pn结5V反向电压下的势垒电容。
