问答题
已知n沟道MOSFET的沟道长度L=10μm，沟道宽度W=400μm，栅氧化层厚度tax=150nm，阈值电压VT=3V，衬底杂质浓度NA=9×1014cm-3，求栅极电压等于7V时的漏源饱和电流。在此条件下，VDS等于几伏时漏端沟道开始夹断？计算中取μn=600cm2/（V·s）。
问答题 简述p沟道MOSFET的工作原理。
问答题 简要说明JFET的工作原理。
问答题 晶体管穿通后的特性如何变化？某晶体管的基区杂质浓度NB=1019cm-3，集电区的杂质浓度NC=5×1015cm-3，基区的宽度WB=0.3μm，集电区宽度WC=10μm，求晶体管的击穿电压。
