填空题
注入离子的射程主要由（）决定。确定注入离子分布的主要参数是（）及其（）。注入离子分布的一级近似为（）。可写成：
离子能量、离子种类和衬底材料；平均投影射程；标准偏差；高斯分布
填空题 CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。
填空题 用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）
填空题 氧化层厚度的测量方法主要有：（）。
