问答题
简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
如果假设硅中的杂质分布是均匀的，而且氧化气氛中又不含有任何杂质，则再分布有四种可能。①分凝系数m＜l，且在SiO
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问答题 说明影响氧化速率的因素。
问答题 简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
问答题 简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
