多项选择题
超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
A.高分辨率 B.高灵敏度 C.精密的套刻对准 D.大尺寸 E.低缺陷
单项选择题 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
单项选择题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
