问答题
从四元固溶体的带隙与晶格常数图，说明与GaAs晶格（0.5653nm）相匹配的固溶体的带隙可调整大致的范围是多少？
问答题 四元固溶体半导体与三元固溶体半导体相比的优势是什么？
问答题 简述在生长III-V族化合物时指出MBE、MOVPE和CBE法使用的III族源及各自的生长机理。
问答题 为什么从70年代初就对GaN开展了研究工作但一直进展缓慢？
四元固溶体的带隙与晶格常数图，说明与GaAs晶格（0.5653nm）相匹配的固溶体的带隙可调整大致的范围是多少？
