单项选择题
干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。
A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子 B.氧化的速度慢 C.生长的二氧化硅缺陷多 D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
单项选择题 干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。
单项选择题 下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些()。
单项选择题 二氧化硅薄膜的折射率是表征其()学性质的重要参数。