单项选择题
下列与硼氧复合体缺陷无关的是()。
A、氧 B、硼 C、温度 D、湿度
单项选择题 尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性,如果晶转过高,会导致固液界面的形状()。
单项选择题 通过()改变驱动力场,借以控制生长系统中的成核率,这是晶体生长工艺中经常使用的方法。
单项选择题 硅的晶格结构和能带结构分别是().