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集成电路制造工艺员(三级)

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单项选择题

刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻胶
D.去离子水

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