问答题 确定在1200℃时，由SiCl4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是hG=5cm/s，表面反应速率常数为KS=107exp（-1.9eV/kT）cm/s，CG=5*1016cm-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？

问答题 为什么使用外延生长难以得到突变结？

问答题 由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl4为原料的硅外延为什么随SiCl4浓度的增加会出现负的生长速率？