问答题 由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl4为原料的硅外延为什么随SiCl4浓度的增加会出现负的生长速率？

问答题 用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

问答题 详述影响硅外延生长速率的因素。