填空题
实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是（）型半导体。
p
填空题 ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。
问答题 比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。 （1）掺0.1mg/kg的As （2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al （3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al （4）掺1mg/kg的Al
问答题 什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？
