问答题 电路如图所示。设R＝0.75k，Rg1＝Rg2＝240k，Rs＝4k。场效应管的gm＝11.3ms，rds＝50k。试求源极跟随器的源电压增益Avs＝vo／vs、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

问答题 电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝Vss＝5V，Rd＝9k，Cs很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1mA／V2，输出电阻rds＝∞。试求电路的小信号电压增益Av。

问答题 电路如图所示，设R1＝R2＝100k，VDD＝5V，Rd＝7.5k，VT＝－1V，KP＝0.2mA／V2。试计算如图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。