问答题 已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为KP＝0.2mA／V2，VP＝0.5V，iD＝－0.5mA（假定正向为流进漏极）。试求此时的预夹断点栅源电压vGS和漏源电压vDS等于多少？

问答题 设计一稳压管并联式稳压电路，要求输出电压Vo＝4V，输出电流Io＝15mA，若输入直流电压VI＝6V，且有10％的波动。试选用稳压管型号和合适的限流电阻值，并检验它们的功率定额。

问答题 电路如图所示，D为硅二极管，VDD＝2V，R＝1k，正弦信号vs＝50sin（2π×50t）mV。 （1）静态（即vs＝0）时，求二极管中的静态电流和vo的静态电压； （2）动态时，求二极管中的交流电流振幅和vo的交流电压振幅； （3）求输出电压vo的总量。