问答题 在NA=1015cm-3的p型硅衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO2层等效电荷面密度为3×1011cm-2，计算MOSFET的阈值电压。

问答题 已知n沟道MOSFET的沟道长度L=10μm，沟道宽度W=400μm，栅氧化层厚度tax=150nm，阈值电压VT=3V，衬底杂质浓度NA=9×1014cm-3，求栅极电压等于7V时的漏源饱和电流。在此条件下，VDS等于几伏时漏端沟道开始夹断？计算中取μn=600cm2/（V·s）。

问答题 简述p沟道MOSFET的工作原理。