问答题
硅pn结的杂质浓度分别为ND=3×1017cm-3，NA=1×1015cm-3，n区和p区的宽度大于少数载流子扩散长度，τn=τp=1μs，结面积=1600μm2，取Dn=25cm2/s，Dp=13cm2/s，计算 （1）在T=300K下，正向电流等于1mA时的外加电压； （2）要使电流从1mA增大到3mA，外加电压应增大多少？ （3）维持（1）的电压不变，当温度 T由300K上升到400K时，电流上升到多少？
问答题 有两个pn结，其中一个结的杂质浓度ND=5×1015cm-3，NA=5×1017cm-3另一个结的杂质浓度，ND=5×1017cm-3，NA=5×1019cm-3，在室温全电离近似下分别求它们的接触电势差，并解释为什么杂质浓度不同接触电势差的大小也不同。
问答题 半导体中载流子浓度n0=1014cm-3，本征载流子浓度ni=1010cm-3，非平衡空穴浓度，非平衡空穴的寿命τn0=10-6s，计算电子-空穴的复合率，计算载流子的费米能级和准费米能级、能级和准费米能级。
问答题 砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
