单项选择题
悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。
A.3min B.5min C.7min D.10min
单项选择题 光图定向法结果直观,操作(),误差()。
单项选择题 ()是影响硅器件成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
单项选择题 用冷热探笔法测量()半导体时,冷端带正电,热端带负电。