单项选择题
正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）.
A、能 B、不能 C、不确定 D、有时可以，有时不可以
单项选择题 当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.
单项选择题 制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.
单项选择题 测量硅中氧浓度常用的方法是（）.
