问答题 T=300K，n型硅衬底杂质浓度为ND=5×1015cm-3，计算金属铝-硅肖特基接触平衡态的反向电流JsT、正偏电压为5V时的电流。计算中取理查森常数A*=264Acm-2·K-2。

问答题 T=300K，n型硅衬底杂质浓度为ND=1016cm-3，计算肖特基势垒高度ΦB0、半导体侧的接触电势差Vbi、空间电荷区厚度W。

问答题 在NA=1015cm-3的p型硅衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO2层等效电荷面密度为3×1011cm-2，计算MOSFET的阈值电压。