问答题
论述题
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
【参考答案】
加入少量的氧气能够提高Si和SiO2的刻蚀速率。加入少量的氢气可以导致Si和SiO2...... (↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
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