相关考题
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多项选择题
（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。
A.薄膜成长
B.蒸发
C.薄膜沉积
D.溅射
E.以上都正确 -
单项选择题
下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。
A.薄膜沉积
B.薄膜成长
C.蒸发
D.溅射 -
多项选择题
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金属
C.单晶硅多晶硅
D.铝铜
E.铝硅
