相关考题
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单项选择题
下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。
A.薄膜沉积
B.薄膜成长
C.蒸发
D.溅射 -
多项选择题
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金属
C.单晶硅多晶硅
D.铝铜
E.铝硅 -
多项选择题
以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
A.单晶硅
B.多晶硅
C.硅化金属
D.二氧化硅
E.氮化硅
