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多项选择题
化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。
A.热丝化学气相沉积制备多晶硅
B.低压化学气相沉积制备多晶硅
C.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜
D.等离子增强化学气相沉积 -
多项选择题
关于D/A界面说法正确的是（）。
A.具有大电子亲和能（EA）的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材料
B.电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主，相当于无机半导体中的N型材料
C.D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差
D.类似于无机太阳电池中的PN结 -
单项选择题
关于光致衰减效应说法正确的是（）。
A.铸造多晶硅没有光致衰减
B.在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低
C.简称S-W效应
D.在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态
