相关考题
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多项选择题
辉光放电系统中的I-V特性曲线可分为（）阶段。
A.电弧放电
B.异常放电
C.汤森放电
D.正常放电 -
多项选择题
化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。
A.热丝化学气相沉积制备多晶硅
B.低压化学气相沉积制备多晶硅
C.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜
D.等离子增强化学气相沉积 -
多项选择题
关于D/A界面说法正确的是（）。
A.具有大电子亲和能（EA）的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材料
B.电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主，相当于无机半导体中的N型材料
C.D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差
D.类似于无机太阳电池中的PN结
