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全部科目 > 通信电子计算机技能考试 > 集成电路制造工艺员 > 集成电路制造工艺员(三级)

单项选择题

干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。

    A.稍高于
    B.大大于
    C.等于
    D.没有要求

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