单项选择题
干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
B.氧化的速度慢
C.生长的二氧化硅缺陷多
D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
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单项选择题
干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。
A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.没有要求 -
单项选择题
下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
A.干氧氧化
B.湿氧氧化
C.水汽氧化
D.与氧化方法无关 -
单项选择题
二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。
A.电
B.磁
C.光
D.热
