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单项选择题
离子注入机通过什么控制注入SiWafer的深度？（）
A.通过控制注入速度（能量）
B.通过控制注入电压
C.通过控制注入电流
D.通过控制注入电阻 -
单项选择题
ULVAC的检漏仪用什么气体检漏？（）
A.氦氧
B.氩氧
C.氦氢
D.氩氢 -
单项选择题
下列哪种成膜方法会有来自装原材料的坩埚等容器的污染可能性？（）
A.真空蒸镀法
B.CVD法
C.PVD法
D.离子电镀法
