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单项选择题
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF -
单项选择题
大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
A.薄膜厚度
B.图形宽度
C.图形长度
D.图形间隔 -
单项选择题
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
A.选择性
B.均匀性
C.轮廓
D.刻蚀图案
