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单项选择题
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
A.选择性
B.均匀性
C.轮廓
D.刻蚀图案 -
多项选择题
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
A.光刻胶
B.衬底
C.表面硅层
D.扩散区
E.源漏区 -
单项选择题
（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
A.刻蚀速率
B.刻蚀深度
C.移除速率
D.刻蚀时间
