相关考题
-
单项选择题
关于TRas#描述正确的是（）
A.行地址控制器延迟时间，简称CL
B.列动态时间，也称tRAS
C.列地址控制器预充电时间，简称tRP -
单项选择题
关于RAS#Precharge描述正确的是（）
A.列地址至行地址的延迟时间，简称RCD
B.行地址控制器延迟时间
C.列动态时间，也称tRAS，表示一个内存芯片上两个不同的列逐一寻址时所造成的延迟
D.列地址控制器预充电时间，简称tRP -
单项选择题
关于RAS#toCAS#的描述正确的是（）
A.列地址至行地址的延迟时间，简称RCD
B.内存位宽的英文缩写
C.CPU二级缓存的英文缩写
D.行地址控制器延迟时间
