相关考题
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多项选择题
基板温度控制时，基板冷却、加热方式有（）。
A.追加HeBP
B.Chiller
C.加热器
D.空气冷却 -
单项选择题
离子源中，将Ir灯丝加热到（）℃后，热电子e-就会释放。
A.800-1000℃
B.1000-1200℃
C.1200-1400℃
D.1400-1600℃ -
单项选择题
下列关于CVD说法不正确的是（）。
A.PECVD是等离子体增强化学的气相沉积法
B.MOCVD是金属有机化合物化学气相的沉积
C.Cat-CVD是光CVD沉积技术的一种
D.LPCVD是低压化学气相沉积法
