相关考题
-
多项选择题
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蚀除去
C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成 -
单项选择题
下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。
A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C.烘烤的温度一般在300℃左右
D.烘烤的时间越长越好 -
多项选择题
下列有关曝光系统的说法正确的是（）。
A.投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高
B.接触式的分辨率优于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影响
D.投影式曝光系统中不会产生衍射现象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系统
