多项选择题
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
A.负胶受显影液的影响比较小
B.正胶受显影液的影响比较小
C.正胶的曝光区将会膨胀变形
D.使用负胶可以得到更高的分辨率
E.负胶的曝光区将会膨胀变形
点击查看答案
相关考题
-
单项选择题
下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。
A.显影液的温度
B.显影液的浓度
C.显影液的溶解度
D.显影液的化学成分 -
多项选择题
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蚀除去
C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成 -
单项选择题
下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。
A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C.烘烤的温度一般在300℃左右
D.烘烤的时间越长越好
