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单项选择题
高密度Plasma作用下，基板的温度可以到（）以上。
A.50℃
B.100℃
C.150℃
D.200℃ -
单项选择题
以下是集成电路制造工序前工序的是（）。
A.元件形成
B.配线形成
C.测试
D.其余都是 -
单项选择题
半导体的制程工序有多少道？（）
A.200~400
B.400~600
C.600~800
D.800~1000
