单项选择题
二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。
A.降低 B.增加 C.不变 D.先降低后增加
单项选择题 表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用()。
多项选择题 ()的方法有利于减少热预算。
单项选择题 当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的主要原因。