多项选择题
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
A.晶圆顶层的保护层 B.多层金属的介质层 C.多晶硅与金属之间的绝缘层 D.掺杂阻挡层 E.晶圆片上器件之间的隔离
多项选择题 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
多项选择题 在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
单项选择题 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。
